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前沿 I · 先进封装与 Chiplet

层次:硕博方向 + 当前业界最热的领域之一核对于 2026-07。 封装曾经是芯片制造中最不起眼的后段工序——把裸片装进塑料壳、引出管脚。过去十年它变成了行业最重要的创新战场之一。 原因在前面几页已经埋好:缩放变贵(第四页)、大芯片良率低(第十四页)、模拟不缩放(第八页)、存储墙(第十页)。封装是这四个问题的共同出口。

一、为什么封装突然重要

四条因果链在此汇合:

  1. 良率经济学(第十四页):良率随面积急剧下降 → 把大芯片拆小;
  2. 掩模版场尺寸上限(第十一页):单颗芯片面积有物理上限 → 想要更大算力必须拼;
  3. 异质集成需求(第八页):逻辑要最先进节点,模拟/IO/存储不需要 → 按需分别选节点;
  4. 存储带宽(第十页):需要把存储放得极近且总线极宽 → HBM。

结论:"在一颗裸片上做完一切"不再是最优解。转向"分而治之,再拼装"。

二、Chiplet:把芯片当乐高

Chiplet(芯粒):把原本单片的 SoC 拆成若干功能裸片,分别制造,再封装集成。

收益

代价(必须诚实列出):

三、封装技术的阶梯

技术 特征 用途
传统引线键合 金线连接,成本低 低端、成熟产品
倒装焊(flip-chip) 裸片翻转,用凸点直连基板 高性能通用方案
2.5D(硅中介层) 多裸片并排放在硅中介层上,中介层内有高密度布线 HBM + 逻辑的标准方案
3D 堆叠(TSV) 裸片垂直堆叠,硅通孔穿透连接 HBM 内部、3D 缓存
混合键合(hybrid bonding) 铜-铜直接键合,无凸点 键合间距可到微米级,当前最前沿

关键指标是互连密度与能效:从引线键合到混合键合,单位面积的连接数提升了数个数量级,每比特传输能耗大幅下降。混合键合是当前把裸片"缝"得最紧的技术,被用于 3D 缓存堆叠与高端图像传感器等。

HBM(高带宽存储):把多层 DRAM 裸片用 TSV 垂直堆叠,通过硅中介层以极宽的总线(上千位)与逻辑裸片相连。

四、把系统重新划分

Chiplet 迫使设计者重新思考一个问题:功能该如何在裸片间划分?

划分原则

这与计算机体系结构中的划分问题、乃至分布式系统的设计权衡高度相似(🔗 cs 站)——只是这里的"网络延迟"以皮秒计,"带宽成本"以皮焦耳每比特计

3D 堆叠带来的架构机会:把 SRAM 直接堆在逻辑上方,可以获得远超平面布局的缓存容量与带宽——这是缓解存储墙最直接的物理手段,已在商用产品中出现。

五、热:新的主要约束

堆叠让散热变得根本性地困难

应对:热感知的布局与堆叠顺序、微流道液冷(研究中)、动态热管理(片上温度传感器 + 调频调压,又一个片上控制回路)。

一个判断:在 3D 集成时代,热而非晶体管,正在成为限制集成度的第一约束。这是从"电子学问题"转向"热-机-电协同问题"的转折。

六、这如何改变了"摩尔定律"

行业出现了一个说法:"系统级缩放"取代"器件级缩放"——衡量进步的指标从"晶体管有多小"变成"单位体积/功耗内能集成多少功能"。

含义

七、要点


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